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FDA设计基础

FDA

5.1 LNA 设计的一般考量

5.1.1 噪声系数

LNA 作为接收机第一级有源电路,其噪声系数(noise figure, NF)**直接叠加**到整机噪声系数上。典型 RX 噪声系数 6–8 dB 的分配:

模块NF 贡献
天线开关/双工器0.5–1.5 dB
LNA2–3 dB
后续链路(混频器+基带)2.5–3.5 dB

这个分配只是设计起点,实际中各部分可灵活调整。现代 RF 设计中,LNA 很少孤立设计——整个 RF 链路作为整体迭代优化。

NF = 2 dB 意味着什么? 考虑图 5.1 的简化模型,LNA 噪声仅用输入参考电压源 Vn,in2\overline{V_{n,in}^2} 表示:

$\mathrm{NF} = 1 + \frac{\overline{V_{n,in}^2}}{4kTR_S} \tag{5.2}$

RS=50ΩR_S = 50\Omega,NF = 2 dB → Vn,in2=0.696 nV/Hz\sqrt{\overline{V_{n,in}^2}} = 0.696\ \mathrm{nV/\sqrt{Hz}}。MOSFET 栅参考热噪声 Vn,g2=4kTγ/gm\overline{V_{n,g}^2} = 4kT\gamma/g_m,要达到此值需要:

$gm=(29Ω)1(γ=1)g_m = (29\Omega)^{-1} \quad (\gamma = 1)$

这是极高的跨导——单管难以同时满足功耗和带宽约束,暗示了输入匹配网络和噪声匹配的必要性。

输入串联电阻对 NF 的影响(Example 5.1)

200 μm 长、0.5 μm 宽的金属走线,方块电阻 40 mΩ/40\ \mathrm{m\Omega/\square}RL=(200/0.5)×40 mΩ=16ΩR_L = (200/0.5) \times 40\ \mathrm{m\Omega} = 16\Omega

RLR_L 的热噪声直接叠加到 LNA 输入参考噪声上:

$\mathrm{NF_{tot}} = 1 + \frac{\overline{V_{n,in}^2} + 4kTR_L}{4kTR_S} = \mathrm{NF_{LNA}} + \frac{R_L}{R_S} \tag{5.5}$

代入 RL=16ΩR_L = 16\OmegaRS=50ΩR_S = 50\Omega:NF 从 2 dB (= 1.58) 恶化到 2.79 dB。

关键洞察:即使很小的走线电阻或栅电阻(十几欧姆量级)也会明显抬高 LNA 的噪声系数。版图中输入走线需宽金属、多指栅以降低 RGR_G